SB12H30 ... sb12h40 SB12H30 ... sb12h40 high temperature schottky barrier diodes hochtemperatur-schottky-dioden version 2013-02-25 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 12 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 30...40 v plastic case kunststoffgeh?use ? 5.4 x 7.5 [mm] weight approx. gewicht ca. 1.0 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] forward voltage durchlass-spannung v f [v] 1 ) i f = 5 a i f = 12 a SB12H30 30 30 < 0.51 < 0.59 sb12h40 40 40 < 0.51 < 0.59 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 12 a 2 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 55 a 2 ) peak forward surge current, 50 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 250 a rating for fusing C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 312 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur in dc forward mode C bei gleichstrom-durchlassbetrieb t j t j -50...+175c 200c storage temperature C lagerungstemperatur t s -50...+175c 1 t j = 25c 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.05 1.2 ? 0.1 5.4 6 2 . 5 0 . 5 7 . 5 0 . 1
SB12H30 ... sb12h40 characteristics kennwerte leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 125c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 100 a < 15 ma thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 14 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 4 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) t = 25c j 250a-(12a-0.75v) v f 0.4 0.5 0.6 0.7 [v] 0.9 0.2
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